日前，秦皇岛京河科学技术研究院与西安电子科技大学微电子学院就双方共同建设SiC(碳化硅材料)半导体功率器件项目签署战略合作协议并成立项目部。开发区管委主任苏景文、北京市科学技术研究院副院长邵锦文、西安电子科技大学微电子学院副院长游海龙、开发区管委副主任扈秋宁、秦皇岛京河科学技术研究院院长侯同晓出席签约仪式，并为项目部揭牌。
西安电子科技大学微电子学院是西安电子科技大学集成电路人才培养基地的依托单位，建有“宽带隙半导体技术国家重点学科实验室”“宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室”。
秦皇岛京河科学技术研究院(以下简称“京河研究院”)是由开发区和北京市科学技术研究院共建的京津冀科技合作平台和科技创新平台，于6月28日正式揭牌运营。
根据协议，签约双方将发挥各自优势，以Fabless模式(半导体芯片行业中，只专注产品设计不涉及产品制造的运营模式)在SiC外延生长机理和技术、SiC外延缺陷机理分析、SiC电力电子器件、SiC高压大功率模块等方面展开科研合作和技术交流，共同培养领域内的高层次人才，并积极推进相关科技成果转化。
苏景文表示，SiC半导体功率器件项目的签约为开发区多年来重点扶持的光机电与信息电子设备制造业注入了新的活力，开发区将搭好平台，做好服务，全力扶持项目建设。希望各方能够通力协作，发挥各自优势，共同将项目建设好，为开发区的经济社会建设添砖加瓦。
邵锦文表示，SiC半导体功率器件项目的引进，是京河研究院以助力秦皇岛发展为导向开展科技成果孵化工作的阶段性成果。这一项目前景广阔，技术优势明显，希望各方能够全力促进项目早日开花结果，实现多方共赢。(记者 旋若飞)
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